1 、内存的 2-2-3 通常是什么意思 这些电脑硬件文章经常出现的参数就是在主板的 BIOS 里面关于内存参数的设置了。通常说的 2-2-3 按顺序说的是 tRP(Time of Row Precharge) ， tRCD(Time of RAS to CAS Delay) 和 CL(CAS Latency) 。tRP 为 RAS 预充电时间，数值越小越好；tRCD 是 RAS 到 CAS 的延迟，数值越小越好；CL(CAS Latency) 为 CAS 的延迟时间，这是纵向地址脉冲的反应时间，也是在一定频率下衡量支持不同规范的内存的重要标志之一。2 、 DDR- Ⅱ和现在的 DDR 内存有什么不同 DDR-II 内存是相对于现在主流的 DDR-I 内存而言的，它们的工作时钟预计将为 400MHz 或更高。

主流内存市场将从现在的 DDR-400 产品直接过渡到 DDR-II 。目前 DDR-II 内存将采用 0.13 微米工艺，将来会过度到 90 纳米，工作频率也会超过 800MHZ 。3 、内存的双通道技术和单通道有什么不同 什么是双通道 DDR 技术呢？需要说明的是，它并非我前面提到的 D D R I I ，而是一种可以让 2 条 D D R 内存共同使用，数据并行传输的技术。双通道 DDR 技术的优势在于，它可以让内存带宽在原来的基础上增加一倍，这对于 P 4 处理器的好处可谓不言而喻。

400M H z 前端总线的 P 4 A 处理器和主板传输数据的带宽为 3.2G B /s ，而 533 M Hz 前端总线的 P4B 处理器更是达到了 4.3G B/s ，而 P4C 处理器更是达到了 800MHZ 前端总线从而需要 6. 4 G 的内存带宽。但是目前除了 I850E 支持的 R ambus P C10 66 规范外，根本没有内存可以满足处理器的需要，我们常用的 DDR333 本身仅具有 2.7G B/s 的带宽。DDR400 也只能提供 3.2G /s 的带宽。也就是说，如果我们搭建双通道 DDR400 的内存，理论上提供 2 倍 DDR400 的带宽。将从而根本的解决了 CPU 和内存之间的瓶颈问题。

4 、内存的单面与双面，单 Bank 与双 Bank 有什么不同 单面内存与双面内存的区别在于单面内存的内存芯片都在同一面上，而双面内存的内存芯片分布在两面。而单 Bank 与双 Bank 的区别就不同了。Bank 从物理上理解为北桥芯片到内存的通道，通常每个通道为 64bit 。一块主板的性能优劣主要取决于它的芯片组。不同的芯片组所支持的 Bank 是不同的。如 Intel 82845 系列芯片组支持 4 个 Bank ，而 SiS 的 645 系列芯片组则能支持 6 个 Bank 。如果主板只支持 4 个 Bank ，而我们却用 6 个 Bank 的话，那多余的 2 个 Bank 就白白地浪费了。双面不一定是双 Bank ，也有可能是单 Bank ，这一点要注意。